Підвищення однорідності фото чутливих напівпровідникових шарів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГаврилюк, Ю. М.
dc.contributor.authorHavryliuk, Yu. M.
dc.contributor.authorORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-5422-8161
dc.contributor.authorВолканін, Є. Є.
dc.contributor.authorVolkanin, Ye. Ye.
dc.contributor.authorORCID ID: https://orcid.org/0000-0003-3507-1987
dc.contributor.authorРижик, М. М.
dc.contributor.authorRyzhyk, M. M.
dc.contributor.authorORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-1092-6742
dc.date.accessioned2022-05-18T09:08:04Z
dc.date.available2022-05-18T09:08:04Z
dc.date.issued2022
dc.descriptionГаврилюк Ю. М. Підвищення однорідності фото чутливих напівпровідникових шарів / Ю. М. Гаврилюк, Є. Є. Волканін, М. М. Рижик / Авіація, промисловість, суспільство : матеріали ІІІ Міжнар. наук.-практ. конф. (м. Кременчук, 12 трав. 2022 р.) / МВС України, Харків. нац. ун-т внутр. справ, Кременчуц. льотний коледж, Наук. парк «Наука та безпека». – Харків : ХНУВС, 2022. – С. 102-103.uk_UA
dc.description.abstractЗазначено, що технологія виготовлення фоточутливих епітаксіальних шарів пов'язана з використанням твердих розчинів системи CdTe-HgTe. Унікальною властивістю цієї системи є фоточутливість у дальній області електромагнітного спектра. Указано, что технология изготовления фоточувствительных эпитаксиальных слоев связана с использованием жестких растворов системы CdTe-HgTe. Уникальным свойством системы является фоточувствительность в дальней области электромагнитного спектра. It is indicated that the technology of manufacturing photosensitive epitaxial layers is associated with the use of hard solutions of the CdTe-HgTe system. A unique property of the system is photosensitivity in the far region of the electromagnetic spectrum.uk_UA
dc.identifier.urihttp://dspace.univd.edu.ua/xmlui/handle/123456789/12241
dc.language.isootheruk_UA
dc.publisherАвіація, промисловість, суспільство : матеріали ІІІ Міжнар. наук.-практ. конф. (м. Кременчук, 12 трав. 2022 р.) / МВС України, Харків. нац. ун-т внутр. справ, Кременчуц. льотний коледж, Наук. парк «Наука та безпека». – Харків : ХНУВС, 2022. – С. 102-103.uk_UA
dc.subjectТехніка. Технічні науки. Machinery. Engineering. Техника. Технические наукиuk_UA
dc.subjectНаукові публікації. Scientific publications. Научные публикацииuk_UA
dc.subjectвиготовлення фоточутливих епітаксіальних шарівuk_UA
dc.subjectизготовление фоточувствительных эпитаксиальных слоевuk_UA
dc.subjectfabrication of photosensitive epitaxial layersuk_UA
dc.subjectстворення детекторів ІЧ-випромінюванняuk_UA
dc.subjectсоздание детекторов ИК-излученияuk_UA
dc.subjectcreation of infrared radiation detectorsuk_UA
dc.subjectепітаксіальні шари CdxHg1-xTeuk_UA
dc.subjectэпитаксиальные слои CdxHg1-xTeuk_UA
dc.subjectepitaxial layers CdxHg1-xTeuk_UA
dc.subjectфотоелементuk_UA
dc.subjectфотоэлементuk_UA
dc.subjectphotocelluk_UA
dc.subjectуправління тепловими процесамиuk_UA
dc.subjectуправление тепловыми процессамиuk_UA
dc.subjectthermal process controluk_UA
dc.subjectфоточутливістьuk_UA
dc.subjectфоточувствительностьuk_UA
dc.subjectphotosensitivityuk_UA
dc.titleПідвищення однорідності фото чутливих напівпровідникових шарівuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Pidvyshchennia odnoridnosti foto chutlyvykh napivprovidnykovykh shariv_Havryliuk_Volkanin_Ryzhyk_2022.pdf
Розмір:
343.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Stattia
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Samoarkhivatsiia vchenykh KhNUVS