The results of simulation of the process of occurrence of damages to the semiconductor elements under the influence of multi-frequency signals of short duration

Abstract

У статті розглядаються питання виникнення ушкоджень у напівпровідникових елементах при впливах на них багаточастотних просторово-часових сигналів (ПВП). Проведено дослідження щодо вдосконалення методу накопичення впливів при впливі на напівпровідникову елементну базу багаточастотних просторово-часових сигналів. Отримано оцінки ймовірності ураження напівпровідникового елемента під дією багаточастотних просторово-часових сигналів.

In articles questions of occurrence of damages in semiconductor elements at influences on them of multi-frequency space-time signals (MF STS) are considered. The studies to improve the affection accumulation method for the case of influence to the semiconductor element base by the multi-frequency space-time signals have been conducted. The estimates of the probability of affection of the semiconductor element under the influence of the multi-frequency space-time signals have been obtained.

В статье рассматриваются вопросы возникновения повреждений в полупроводниковых элементах при воздействиях на них многочастотных пространственно-временных сигналов (ПВП). Проведены исследования по совершенствованию метода накопления воздействий при воздействии на полупроводниковую элементную базу многочастотных пространственно-временных сигналов. Получены оценки вероятности поражения полупроводникового элемента под действием многочастотных пространственно-временных сигналов.