Research of the synthesis of radiant intensity indicatrix of multi-component beam diode module

Abstract

Широке використання напівпровідникових джерел випромінювання в оптико-лектронних приладах різного призначення потребує подальшого вивчення механізмів формування фотометричних характеристик інтегрованого приладу в зоні ближнього освітлення, де порушується закон перевернутих квадратів. Запропоновано математичну модель багатокомпонентного пучково-діодного модуля. На його основі проведено аналіз впливу параметрів окремих джерел променя на деформацію індикатора інтенсивності випромінювання при переході з дальньої зони в ближню. Показано, що визначальним параметром зміни індикатриси довготи та полярної відстані є розподіл у площині модуля добутку інтенсивності випромінювання окремого діода на його полярний радіус-вектор. Зміщення полярного кута максимуму вектора інтенсивності діодного випромінювання є більш значним для широких діаграм діаграми випромінювання, ніж для зосереджених. Для конкретних параметрів діодів та геометрії їх розташування показано придатність запропонованої моделі для апріорного моделювання променевих діодних модулів.

Widespread use of semiconductor radiation sources in optoelectronic devices for various purposes requires further study of the mechanisms of formation of photometric characteristics of the integrated device in the near illumination zone, where the law of inverted squares is violated. A mathematical model of the multicomponent beam-diode module is proposed. On its basis the analysis of influence of the parameters of separate beam sources on the deformation of the indicatrix of radiant intensity at transition from the far zone to the near one is carried out. It is shown that the determining parameter of the indicatrix change in longitude and polar distance is the distribution in the plane of the modulus of the product of the radiant intensity of a single diode on its polar radius vector. The displacement of the polar angle of the maximum of the vector of the diode radiant intensity is more significant for wide radiation patterns than for concentrated ones. For specific parameters of diodes and geometry of their location the suitability of the proposed model for a priori modeling of beam-diode modules is illustrated.

Широкое использование полупроводниковых источников излучения в оптико-электронных приборах различного назначения требует дальнейшего изучения механизмов формирования фотометрических характеристик встроенного прибора в зоне ближнего освещения, где нарушается закон перевёрнутых квадратов. Предложена математическая модель многокомпонентного пучково-диодного модуля. На его основе проведён анализ влияния параметров отдельных источников луча на деформацию индикатора интенсивности излучения при переходе из дальней зоны в ближнюю. Показано, что определяющим параметром изменения индикатрисы долготы и расстояния является распределение в плоскости модуля произведения интенсивности излучения отдельного диода на его полярный радиус-вектор. Смещение полярного угла максимума вектора интенсивности диодного излучения более значимо для широких диаграмм диаграммы излучения, чем для сосредоточенных. Для конкретных параметров диодов и геометрии их расположения показана пригодность предлагаемой модели для априорного моделирования лучевых диодных модулей.